ロームが反発、ＧａＮデバイスの性能を最大限引き出す超高速駆動制御ＩＣ技術を確立

　ローム<6963.T>が反発している。この日、ＧａＮ（窒化ガリウム）デバイスなど高速スイッチングデバイスの性能を最大限引き出す超高速駆動制御ＩＣ技術を確立したと発表しており、好材料視されている。

　電源ＩＣで培った超高速パルス制御技術「Ｎａｎｏ　Ｐｕｌｓｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌ」を更に進化させ、制御パルス幅を従来の９ナノ秒から業界最高となる２ナノ秒まで大幅に向上することに成功したという。同技術を制御ＩＣに搭載することで、ＧａＮデバイスが持つ性能を最大限まで引き出す超高速駆動制御ＩＣ技術を確立。現在は同技術を用いた制御ＩＣの製品化を進めており、２３年後半に１００Ｖ入力１ｃｈ　ＤＣ－ＤＣコントローラとしてサンプル出荷を開始する予定としている。

出所：MINKABU PRESS