2015年03月25日16時20分

【材料】アルバックが圧電ＭＥＭＳデバイス向け量産用低温ＰＺＴスパッタリング技術を開発

アルバックがこの日の取引終了後、次世代のＭＥＭＳデバイスで主流となるＣＭＯＳ搭載ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）デバイス向けの量産用低温ＰＺＴスパッタリング技術を世界に先駆けて開発したと発表した。独自技術によりＣＭＯＳへ搭載可能な圧電ＭＥＭＳデバイス用ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜を５００度以下のスパッタリングプロセスで形成し、最高レベルの圧電性能と素子の信頼性に必要な高絶縁耐圧、耐疲労性能を満たす技術を世界で初めて実現した。スマートフォンやタブレットＰＣなど使用される加速度センサーやジャイロセンサーなど向け圧電材料として、ＰＺＴの薄膜を用いた圧電ＭＥＭＳデバイスの需要が高まっていることを受けて、新技術を開発した。