エルピーダメモリ

[faichiさん]

◎エルピーダメモリ、１．２Ｖ低電圧で１０６６Ｍｂｐｓ高速動作の４ＧビットＤＤＲ２　Ｍｏｂｉｌｅ　ＲＡＭを開発
発表日：2011年4月7日
１．２Ｖ低電圧、１０６６Ｍｂｐｓ高速動作
４ＧビットＤＤＲ２　Ｍｏｂｉｌｅ　ＲＡＭの開発に成功
最先端３０ｎｍプロセスの採用で超小型チップを実現

　※製品画像は添付の関連資料を参照

　エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長兼ＣＥＯ：坂本幸雄　以下、エルピーダ）は、このたび、最先端３０ｎｍプロセスを採用した４ＧビットＤＤＲ２　Ｍｏｂｉｌｅ　ＲＡＭ（ＴＭ）を開発いたしました。本製品は、低電圧１．２Ｖ駆動、１０６６Ｍｂｐｓの高速データ転送速度を達成しており、動作電流は当社４０ｎｍ　２Ｇビット品の２個搭載時に比べ約３０％削減しています。さらにエルピーダの精巧な回路設計技術、高度なプロセス技術により、４ＧビットＬＰＤＤＲ２において世界最小クラスのチップサイズを実現しています。また、ローパワー機能を備えた本製品は、スマートフォンやタブレットＰＣなどのモバイル機器向けに特化しており、これらバッテリー駆動機器の動作時間の延長に貢献するエコフレンドリーＤＲＡＭです。
　急速に市場拡大を続けるスマートフォンやタブレットＰＣは、現在積極的にオペレーティングシステムの機能拡充が図られています。これに伴い、ＤＲＡＭに求められる容量も急増しており、ハイエンドスマートフォンでは８Ｇビット、タブレットＰＣにおいては１６Ｇビットの大容量ＤＲＡＭのニーズが高まっています。これと同時に、ＤＲＡＭパッケージの小型化、薄型化、軽量化への要求も強く、ＰｏＰやＭＣＰなどの高度なパッケージ技術にも注目が集まっています。
　本製品はＰｏＰやＦＢＧＡパッケージ、ＭＣＰ向けのベアチップでの出荷を予定しています。ＰｏＰおよびＦＢＧＡパッケージ品は、積層技術を駆使することで８Ｇビットから１６Ｇビットまでの豊富なラインアップでお客様のニーズにお応えしていきます。なお、パッケージ厚は最小０．８ｍｍを実現（８Ｇビット品の場合、４Ｇビットチップ×２段積層）しており、大容量化に加え、薄型化のニーズにもお応えします。
　本製品のサンプル出荷は２０１１年４月中、量産は同年６月から広島工場にて行います。また、製品の安定供給を図るために台湾レックスチップでの生産も予定しております。
　モバイル機器向けＤＲＡＭのリーディングプロバイダーであるエルピーダは次世代スマートフォン、タブレットＰＣ開発を最先端技術で支えてまいります。

＜本製品の主な仕様＞
　品名：ＥＣＢ４４０ＡＢＡＣＮ（ベアチップ）
　製造プロセス：３０ｎｍ　ＣＭＯＳ
　容量：４Ｇビット
　データ幅：×１６ビット／×３２ビット
　ピンあたりデータ転送レート：１０６６Ｍｂｐｓ（Ｍａｘ．）
　電源電圧：ＶＤＤ２／ＶＤＤＱ：　１．２Ｖ、ＶＤＤ１：　１．８Ｖ
　動作温度範囲：－３０　～　８５℃
　出荷形態：ベアチップ、ＰｏＰ、ＦＢＧＡ
◎エルピーダメモリ、１．２Ｖ低電圧で１０６６Ｍｂｐｓ高速動作の４ＧビットＤＤＲ２　Ｍｏｂｉｌｅ　ＲＡＭを開発
発表日：2011年4月7日
１．２Ｖ低電圧、１０６６Ｍｂｐｓ高速動作
４ＧビットＤＤＲ２　Ｍｏｂｉｌｅ　ＲＡＭの開発に成功
最先端３０ｎｍプロセスの採用で超小型チップを実現

　※製品画像は添付の関連資料を参照

　エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長兼ＣＥＯ：坂本幸雄　以下、エルピーダ）は、このたび、最先端３０ｎｍプロセスを採用した４ＧビットＤＤＲ２　Ｍｏｂｉｌｅ　ＲＡＭ（ＴＭ）を開発いたしました。本製品は、低電圧１．２Ｖ駆動、１０６６Ｍｂｐｓの高速データ転送速度を達成しており、動作電流は当社４０ｎｍ　２Ｇビット品の２個搭載時に比べ約３０％削減しています。さらにエルピーダの精巧な回路設計技術、高度なプロセス技術により、４ＧビットＬＰＤＤＲ２において世界最小クラスのチップサイズを実現しています。また、ローパワー機能を備えた本製品は、スマートフォンやタブレットＰＣなどのモバイル機器向けに特化しており、これらバッテリー駆動機器の動作時間の延長に貢献するエコフレンドリーＤＲＡＭです。
　急速に市場拡大を続けるスマートフォンやタブレットＰＣは、現在積極的にオペレーティングシステムの機能拡充が図られています。これに伴い、ＤＲＡＭに求められる容量も急増しており、ハイエンドスマートフォンでは８Ｇビット、タブレットＰＣにおいては１６Ｇビットの大容量ＤＲＡＭのニーズが高まっています。これと同時に、ＤＲＡＭパッケージの小型化、薄型化、軽量化への要求も強く、ＰｏＰやＭＣＰなどの高度なパッケージ技術にも注目が集まっています。
　本製品はＰｏＰやＦＢＧＡパッケージ、ＭＣＰ向けのベアチップでの出荷を予定しています。ＰｏＰおよびＦＢＧＡパッケージ品は、積層技術を駆使することで８Ｇビットから１６Ｇビットまでの豊富なラインアップでお客様のニーズにお応えしていきます。なお、パッケージ厚は最小０．８ｍｍを実現（８Ｇビット品の場合、４Ｇビットチップ×２段積層）しており、大容量化に加え、薄型化のニーズにもお応えします。
　本製品のサンプル出荷は２０１１年４月中、量産は同年６月から広島工場にて行います。また、製品の安定供給を図るために台湾レックスチップでの生産も予定しております。
　モバイル機器向けＤＲＡＭのリーディングプロバイダーであるエルピーダは次世代スマートフォン、タブレットＰＣ開発を最先端技術で支えてまいります。

＜本製品の主な仕様＞
　品名：ＥＣＢ４４０ＡＢＡＣＮ（ベアチップ）
　製造プロセス：３０ｎｍ　ＣＭＯＳ
　容量：４Ｇビット
　データ幅：×１６ビット／×３２ビット
　ピンあたりデータ転送レート：１０６６Ｍｂｐｓ（Ｍａｘ．）
　電源電圧：ＶＤＤ２／ＶＤＤＱ：　１．２Ｖ、ＶＤＤ１：　１．８Ｖ
　動作温度範囲：－３０　～　８５℃
　出荷形態：ベアチップ、ＰｏＰ、ＦＢＧＡ