17日、原子層レベルでの精密なエッチング制御が可能なパワー半導体向け加工装置を開発したと発表。生成AIの普及を背景に電力消費量の増加が予想されるデータセンターにおいて、電力変換効率と高周波特性に優れるGaN（窒化ガリウム）系デバイスの更なる高性能化につながる装置で、原子層エッチング技術を搭載。従来の加工方法にみられたデバイスへのダメージやリーク電流の増大といった特性劣化などの課題の解決を図った。