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東レが4日ぶり反発、SiCトランジスタ向け感光性耐熱レジストを開発
東レ<3402.T>が4日ぶりに反発している。同社は17日に、次世代パワーエレクトロニクスに用いられるシリコンカーバイド(SiC)トランジスタ向けに、製造工程であるイオン注入プロセスを大幅に簡略化できる感光性耐熱レジストを開発したと発表。これが買い手掛かりとなっているようだ。
SiC半導体デバイスは、従来の半導体デバイスに比べてエネルギー損失が小さく、高耐熱性や絶縁破壊体制などもあわせ持つのが特徴。既にエアコンやハイブリッドカー、電車、太陽電池用パワーコンディショナーなど一部用途で実用化が始まっており、機器の省電力化や小型化に貢献するデバイスとして期待されている。
東レの株価は9時59分現在719.1円(△7.1円)
出所:株経通信(株式会社みんかぶ)
SiC半導体デバイスは、従来の半導体デバイスに比べてエネルギー損失が小さく、高耐熱性や絶縁破壊体制などもあわせ持つのが特徴。既にエアコンやハイブリッドカー、電車、太陽電池用パワーコンディショナーなど一部用途で実用化が始まっており、機器の省電力化や小型化に貢献するデバイスとして期待されている。
東レの株価は9時59分現在719.1円(△7.1円)
出所:株経通信(株式会社みんかぶ)
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